SK하이닉스 "6세대 D램기술로 HBM 리더십 공고히할 것"

장태수 부사장 뉴스룸 인터뷰...'6세대 D램 개발 주인공'

장태수SK하이닉스 부사장.ⓒSK하이닉스

장태수 SK하이닉스 부사장은 20일 "앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다할 것"이라고 말했다.

장 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 "이번 6세대(1c) DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것"이라며 이같이 밝혔다.

장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

'1c D램 개발 태스크포스(TF)'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다.

1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다.

장 부사장은 이 기술을 세계 최초로 개발한 성과에 대해 "초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있다"고 자평했다.

그러면서 그는 "동일 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 확보 가능하다"며 "이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것"이라고 밝혔다.

장 부사장은 이번에 개발한 기술이 고대역폭 메모리(HBM) 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 기대했다. D램 셀 크기를 줄이면 HBM의 칩 크기와 높이를 유지하면서 용량을 늘릴 수 있고, HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있기 때문이다.

장 부사장은 "미세화를 통해 작아진 칩과 감소한 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다"며 "이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속할 것으로 예상한다"고 말했다.

이어 "데이터 저장을 담당하는 커패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 커패시터 개발에 주력하고 있다"며 미세공정 혁신에 속도를 내겠다는 포부를 밝혔다.

그는 "소통을 통해 서로의 실패를 공유하고 그것을 교훈 삼아 성장하는 문화를 조직에 내재화했다"며 "1c DDR5 D램은 이 문화 속에서 완성될 수 있었다"고 덧붙였다.

장 부사장은 앞서 지난 19일 열린 제52회 상공의날 기념식에서 10나노급 1c 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다.