삼성전자 "8세대 V낸드 기술 확보...1000단 낸드 시대 주도"

송재혁 부사장 "200단 넘는 8세대 차세대 낸드 동작 칩 확보"

하반기 출시 7세대 V낸드도 경쟁사 대비 크기 35% 줄여

삼성전자 V7 SSD 이미지컷.ⓒ삼성전자

삼성전자가 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보해 기술적 한계를 극복해 나가겠다는 의지를 보였다. 향후 1000단 낸드 시대를 주도해 나갈 것이라면서 날로 치열해지는 기술 경쟁에서 자신감을 내비쳤다.

송재혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 8일 뉴스룸에 기고한 글을 통해 "현재 200단이 넘는 8세대 차세대 낸드 동작 칩도 확보했다"며 "시장 상황과 고객의 요구에 따라 적기에 제품을 선보이기 위해 만반의 준비를 하고 있다"고 밝혔다.

낸드플래시는 D램과 메모리반도체의 쌍두마차로 D램과 달리 전원이 꺼져도 정보가 사라지지 않아 데이터를 저장하는 용도로 활용된다.

송 부사장은 낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 것이라면서 삼성전자가 업계 최소 셀사이즈를 구현한 '3차원 스켈링(3D Scaling)' 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것이라며 자신감을 나타냈다.

삼성전자가 세계 최초로 개발한 V낸드(수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 제품)의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 그는 설명했다.

삼성전자가 올해 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 다른 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기로 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품의 크기가 더 작다는 의미다.

송 부사장은 "삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다"며 "이것이 가능한 이유는 삼성전자가 업계 최소의 셀 크기를 구현했기 때문"이라고 설명했다.

이어 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 가진 유일한 기업"이라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보하고 있다"고 강조했다.

송 부사장은 V낸드의 미래는 앞으로 1000단 이상을 바라보고 있으며 향후 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자가 혁신적인 기술력을 기반으로 시장을 주도할 것이라며 자신감을 나타냈다.

그는 "평면의 한계를 극복하기 위해 10년 이상의 오랜 연구 끝에 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 우리는 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것"이라며 "미래 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 V낸드는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것"이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 지난 2002년 플래시 메모리 분야에서 처음 세계 1위 자리에 오른 뒤 지난해까지 19년 연속 1위 자리를 지켰다. 올해도 1위 수성이 확실시 돼 D램에 이어 낸드에서도 20년 연속 1위 자리를 유지할 전망이다.