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삼성전자 '기업용 D램' 시장 공략 속도 낸다


입력 2015.11.26 16:07 수정 2015.11.26 16:08        이홍석 기자

초격차 기술 전략 강화로 위협 요인 극복 역량 확대

연내 128GB 풀라인업 제공…초고속 컴퓨팅용 제품도 양산

삼성전자 반도체 생산라인 직원들이 제품을 살펴보고 있다. ⓒ삼성전자
삼성전자가 서버·데이터센터 등 기업용 D램 시장 공략 강화에 나선다. 최근 가격 하락 약세로 향후 수익성이 우려되고 있는 D램 분야에서 기술력을 내세워 극복하겠다는 전략이다.

삼성전자는 지난달부터 세계 최초로 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 본격 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.

이는 지난해 08월 20나노급 64GB 3D TSV DDR4 모듈에 이어 올 10월부터 20나노 128GB 3D TSV DDR4 모듈 양산에 들어간 것이다. 1년 2개월만에 용량을 2배 늘린 것으로 D램의 신시장 창출에 기여할 것으로 보인다.

삼성은 지난 2010년 40나노급 8GB 3D TSV DDR3(Double Data Rate 3) 모듈 개발을 시작으로, 이듬해 8월 30나노급 32GB 3D TSV DDR3 개발한 뒤 꾸준히 미세공정 적용과 용량 한계 극복을 위한 노력을 꾸준히 해오고 있다.

TSV(Through Silicon Via) 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. TSV 기술은 기존 와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더욱 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다.

회사측은 이번 양산 개시로 128기가바이트 TSV D램 모듈의 안정성이 입증됐다면서 용량뿐만 아니라 초고속·초절전·고신뢰성 등을 모두 갖춰 기업의 서버와 데이터센터용 수요가 크게 증가할 것으로 기대하고 있다.

회사 관계자는 “서버와 데이터센터 등에서 고성능 고용량 하이엔드 제품에 대한 수요가 증가하고 있다”며 “기업용 제품들은 프리미엄급이 많아 매출 기여도가 크다는 점에서 향후 전체에서 차지하는 비중도 늘어날 것”이라고 말했다.

또 삼성전자는 연내에 TSV기술을 적용해 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM’ 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공하고, 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.

RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)과 LRDIMM(Load Reduced Dual In-line Memory Module)은 모두 데이터센터·서버용 D램 모듈 종류다. RDIMM이 빠른 속도와 고 신뢰성에, LRDIMM이 대용량 구현에 보다 초점을 맞춘 제품이라는 것이 회사측의 설명이다.

아울러 TSV기술을 활용해 대역폭을 크게 끌어올린 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM(High Bandwidth Memory) 제품으로 프리미엄 메모리 시장 확대를 주도해 나간다는 계획이다. 지난달 개발한 20나노 4GB HBM 제품을 연내 양산을 시작해 기술 차별화를 통한 경쟁력 강화에 나선다는 전략이다.

업계에서는 삼성전자가 지금까지 D램에서 확고한 지위를 확보하고 있지만 수익성 하락과 중국 등 경쟁업체의 시장 진입으로 인한 추격 가능성 등을 감안해 기술 경쟁력 강화에 더욱 역량을 집중할 것으로 보고 있다.

시장조사기관 IHS에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 기준 글로벌 D램 시장 점유율(매출액 기준)이 45.2%로 분기 기준 최고치를 기록했다. 지난해 3분기 이후 D램 시장에서 줄곧 40% 이상의 점유율을 유지하면서 올해 연간 기준 가장 높은 점유율을 기록할 것으로 보인다. 최근 10년간 연간 점유율 최고치가 지난 2011년의 42.2%였다.

업계 한 관계자는 “D램 가격 약세 지속뿐만 아니라 중국의 낸드플래시 시장 본격 진출 등은 메모리반도체의 강자로 군림하고 있는 삼성전자에게 향후 큰 위협 요인이 될 것”이라며 “결국 D램과 낸드플래시 모두 기술력 격차를 벌리는 초격차 기술 전략을 강화해 나갈 수 밖에 없을 것”이라고 말했다.

이홍석 기자 (redstone@dailian.co.kr)
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