SK하이닉스 "M14, 내년부터 20나노 초반대 D램 양산"

"4분기 모바일용 D램, 전체의 40% 이상 차지할 것"

올해 전체 투자 규모는 6조원 돌파할 듯

SK하이닉스가 경기도 이천에 준공한 M14 공장에서 내년부터 20나노 초반대 D램을 양산한다고 22일 밝혔다.

김준호 SK하이닉스 경영지원부문장(사장)은 22일 열린 '2015년 3분기 실적 컨퍼런스콜'을 통해 "현재 장비를 반입하고 있는 M14라인에서는 내년 초부터 2Z기반의 DDR4와 LPDDR4를 본격 양산할 예정"이라고 밝혔다.

4분기 D램 시장 전망에 대해서는 스마트폰 시장 성장 정체에도 스마트폰 업체들의 하드웨어 혁신 심화, 신흥국 교체 수요 증가, 중저가 폰에서도 2GB 이상 탑재 등으로 성장을 지속할 것으로 내다봤다.

김 사장은 "4분기 D램 제품믹스는 모바일용 D램이 40% 이상을 차지할 것"이라며 "DDR4와 LPDDR4 역시 40% 이상이 될 것"이라고 말했다.

낸드플래시의 경우, 16나노 트리플레벨셀(TLC) 제품이 40%까지 비중 확대된 상황이라면서 멀티레벨셀(MLC)대비 가격 낮지만 원가 절감 폭 높아 낸드 수익성에 기여할 것으로 내다봤다.

김 사장은 마지막으로 "올 3분기까지 누적 투자 금액은 5조3000억원으로 올해 전체 투자규모는 6조원 이상이 될 것"이라고 말했다.