'23조 영업익' SK하이닉스 "작년 HBM 매출 4.5배↑…내년분도 올 상반기 완료"(종합)

4분기 매출 19조7670억, 영업이익 8조828억, 순이익 8조65억

HBM, eSSD 등 AI 메모리 판매 확대로 매출과 영업익 분기·연간 최고 실적

"차별화된 AI 제품 경쟁력과 수익성 중심 경영으로 안정적 이익 창출 가능성 확인"

경기도 이천시 SK하이닉스 본사 모습.ⓒ뉴시스

SK하이닉스가 지난해 매출과 영업이익 모두 사상 최대치를 기록하며 메모리 반도체 기업 1위 자리에 등극했다.

SK하이닉스는 작년 실적 성장을 견인한 HBM(고대역폭메모리), DDR5 등 AI(인공지능) 반도체 공급을 올해에도 주력하겠다는 계획이다. 이를 위해 AI 메모리 중심 기술 개발·인프라 투자에도 나선다. '물 들어올 때 노 젓기' 전략을 추진중인 SK하이닉스가 AI 수요에 힘입어 지난해 실적을 크게 넘어설 지 주목된다.

작년 매출과 영업이익 모두 사상 최대치 경신…HBM·eSSD 등 AI 메모리 효자

23일 SK하이닉스는 지난해 연결 기준 매출 66조1930억원, 영업이익 23조4673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7969억원(순이익률 30%)을 달성, 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 밝혔다.

매출은 기존 최고였던 2022년(44조6216억원) 보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(20조8437억원)의 성과를 넘어섰다.

특히 지난해 HBM 매출이 전년 대비 4.5배 확대돼 SK하이닉스가 최대 실적을 경신하는 데 역할을 했다. 낸드의 경우 최대 매출과 영업이익을 달성했다. 이중 eSSD 매출은 전년 대비 300% 이상 성장하는 쾌거를 이뤘다.

특히 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "PC, 스마트폰 등 컨슈머 제품 수요 둔화 속에서도 HBM과 eSSD 등 데이터센터향 AI 메모리 제품이 전체 수요를 이끌었다"고 설명했다.

4분기 D램은 고부가 제품인 HBM3E와 DDR5 판매 확대로 출하량이 전분기 대비 한자릿수 중반% 증가했고 ASP(평균판매단가)도 DDR4 등 레거시 제품 가격 하락에도 전분기 보다 약 10% 상승했다.

특히 HBM의 높은 성장세에 따라 4분기 HBM은 전체 매출에서 40%를 차지했다.

다만 이 기간 낸드는 eSSD 판매 확대에도 불구하고 PC, 모바일 고객사들의 재고 조정으로 출하량이 한자릿수 중반% 감소했고 ASP도 한자릿수 중반% 하락했다.

최대 실적과 관련해 김우현 CFO는 "HBM과 eSSD 매출 비중이 크게 확대되며 당사는 시황 조정기에도 과거에 비해 안정적인 매출과 이익을 유지할 수 있는 사업 체질을 갖추게 됐다"면서 "AI향 메모리 수요 성장으로 메모리 산업은 물량과 가격 중심의 코모디티(범용)에서 고객맞춤형 시장으로 변화하고 있다"고 진단했다.

그러면서 "고객의 요구를 만족시키며 적기 공급할 수 있는 경쟁력을 확보한다면 메모리업체도 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다. 따라서 이번 실적이 갖는 의미는 크다"고 강조했다.

ⓒSK하이닉스

올해 AI 서버 중심 주 응용처 성장…선단 공정 전환 추진

올해 반도체 산업은 AI를 중심으로 견조한 흐름을 보일 것으로 예상했다. 구체적으로 D램은 10% 중후반, 낸드는 10% 초반 성장할 것으로 내다봤다.

응용처별로 보면 PC 시장은 하반기 윈도우10 지원 종료에 따른 기업용 PC 교체 수요와 AI PC 본격 출하로 한자릿수 초중반% 성장할 것으로 예상했다. AI PC 비중은 30~40%로 확대될 전망이어서 이 제품에 탑재되는 D램(16·24·32GB)이 확대될 것으로 기대했다.

스마트폰 시장도 고성능 모바일 메모리 수요 증가로 한자릿수 초중반% 성장을 전망했다. 이중에서도 AI 스마트폰 비중이 약 30%까지 확대될 것으로 예상된다는 설명이다. 또한 중국이 내수 경기 진작을 위한 지원 대상에 스마트폰, 태블릿을 추가함에 따라 긍정적인 영향을 기대했다.

서버는 AI 서버를 중심으로 높은 수요 성장세가 예상돼 한자릿수 후반% 성장을 내다봤다. 김우현 CFO는 "학습과 추론 능력 확보를 위한 빅테크 기업의 투자 경쟁이 이어지면서 AI 서버를 중심으로 높은 수요 성장세가 지속될 전망"이라며 "추론향 고성능 컴퓨팅에 필수적인 HBM 수요가 확대될 것"이라고 말했다.

이에 따라 SK하이닉스는 올해 HBM3E(5세대 HBM) 공급을 늘리고 HBM4(6세대 HBM)도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급하겠다는 계획이다. 또, 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환도 추진한다.

SK하이닉스는 "HBM4 제품은 이미 기술 안정성과 양산성 입증된 1b 나노 공정을 적용해 개발 진행중이다. 올해 하반기 중 개발과 양산 준비 마무리하고 공급을 시작하는 것을 목표로 한다"면서 "HBM4 공급은 12단 제품을 시작으로 이후 16단은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정이며 내년 하반기로 예상한다"고 밝혔다.

이어 "16단까지 적층하는 패키징 기술은 어드밴스드 MR-MUF 공법을 HBM3E에서 선제적으로 적용한 경험을 바탕으로 향후 HBM4에 16단 양산에 적용할 것으로 기대한다. HBM4에서는 처음으로 베이스다이에 로직 파운드리 활용해 성능과 전력 특성을 보강할 계획이며 이를 위해 TSMC와 원팀 체계를 구축해 협업하고 있다"고 설명했다.

ⓒSK하이닉스

HBM4E부터 1c 나노 공정…HBM 1위 리더십 유지

HBM4E부터는 최선단 공정인 1c 나노 공정을 적용하겠다는 계획도 밝혔다. 회사측은 "지난해 하반기 1c 나노 제품 개발 완료했고 양산성을 확보했다. 1c 나노 기반 DDR5 제품은 최대 지원 속도가 이전 제품 보다 28% 향상됐고 전력 효율도 9% 이상 개선됐다"면서 "우수한 성능과 안정적 초기 수율을 보이는 1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용해 차세대 HBM 시장 리더십을 유지하겠다"고 말했다.

SK하이닉스가 선단 공정 속도전에 나서는 것은 그만큼 AI향 메모리 수요가 워낙 견조한 데 있다. 올해 HBM 물량은 완판됐고 내년분 물량도 최근 논의를 시작하는 등 차세대 메모리 개발-양산 로드맵이 타이트하다.

회사측은 "일부 고객과 HBM 2026년 공급 물량 논의를 시작했고 올해 상반기 중 내년 물량 대부분에 대해 가시성 확보할 것으로 예상한다. HBM의 높은 투자 비용을 고려해 당사는 고객 협의를 통해 선제적으로 공급 물량 확보하고 사업 안정성을 높일 수 있도록 장기 계약 체결 기조를 유지할 계획"이라고 말했다.

이같은 차세대 메모리 로드맵에 발맞춰 투자도 HBM 중심으로 진행한다. 회사측은 "올해 투자 규모는 고객과 이미 협의한 물량 공급 위한 HBM 투자와 미래 성장 인프라 확보 위한 M15X, 용인 팹 건설로 인해 작년 투자금 대비 다소 증가한다"면서 "전체 투자 중에 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중되며, 인프라 투자는 전년 대비 큰 폭으로 증가할 것"이라고 했다.

SK하이닉스의 제품 개발 및 양산이 선단 공정에 초점을 두고 있는 만큼 DDR4 등 레거시 제품 매출 비중은 상대적으로 축소될 전망이다.

회사측은 "D램은 HBM과 DDR5 고사양 고성능 제품은 수요 증가로 수급 타이트한 반면 DDR4/LPDDR4 레거시 제품은 수요 둔화가 가속화되면서 (선단-레거시 제품간) 디커플링 양상이 심화될 것으로 본다"먼서 " 당사는 HBM과 DDR5 경쟁력을 기반으로 이들 제품 수요에 집중할 수 있도록 레거시 제품은 생산을 줄여가면서 재고를 건전화할 계획이다. 따라서 레거시 제품 매출 비중은 작년 20% 수준에서 올해는 약 한자릿수로 크게 축소될 것"이라고 말했다.

낸드는 eSSD를 제외한 제품 수요가 여전히 부진해 탄력적 생산 등 유연한 판매 전략을 이어가겠다는 방침이다.

SK하이닉스는 "eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 회복 지연을 고려해 제한적으로 생산 유지해왔다. 앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조 유지하면서 시황에 맞춰 탄력적 생산을 조정하고 재고 정상화에 주력할 계획"이라고 말했다.

ⓒSK하이닉스

"中 D램 기술, 품질·성능면에서 韓과 확실한 차이"

한편 중국업체들의 DDR4, DDR5 개발 등 D램 기술 추격에 대해서는 한국 제품과 품질, 성능 차이가 두드러질 것으로 SK하이닉스는 진단했다. 그러면서 기술 격차를 최대한 벌릴 수 있도록 선단 공정 기술 개발에 박차를 가하겠다고 강조했다.

SK하이닉스는 "선단 공정에 비해 후발업체들이 적용하는 기술은 상당한 차이가 있고 이를 기반으로 한 DDR5 제품 품질과 성능은 확실한 차이가 존재할 것"이라며 "대중 제재 강화가 이어지는 가운데 중국업체는 선단 테크 개발 과정에서 더 많은 불확실성에 직면할 것으로 예상한다. 선단 테크 개발과 고성능 제품 적기 준비, HBM 을 포함한 다양한 AI향 메모리 개발을 통해 제품 포트폴리오, 품질, 고객 서비스 등 측면에서 후발업체와의 격차를 유지할 계획"이라고 밝혔다.